لایه نشانی به روش کندوپاش| اسپاترینگ رومیزی

شرکـت پوشــش های نانو ساختـار تولید کننده انــواع سیستمهای لایه نشانی در خلأ و اسپاترینگ

لایه نشانی به روش کندوپاش| اسپاترینگ رومیزی

شرکـت پوشــش های نانو ساختـار تولید کننده انــواع سیستمهای لایه نشانی در خلأ و اسپاترینگ

لایه نشانی به روش کندوپاش| اسپاترینگ رومیزی

شرکـت پوشــش های نانو ساختـار با بیـش از 20 سال تجـربه در زمـینه طـراحــی و سـاخت انــواع سیستمهای لایه نشانی در خلأ، سیسم اسپاترینگ تک کاتده، دستگاه پوشش دهی کربنی، اسپاترینگ، لایه نشانی، میکرو آنالیز، تبخیر حرارتی، لایه نشانی با لیزر پالسی، لایه نشانی به روش pvd، لایه نشانی به روش کندوپاش، لایه نشانی به روش اسپری، لایه نشانی pld، لایه نشانی تبخیر حرارتی، لایه نشانی به روش اسپاترینگ، لایه نشان کربن تحت خلاء و سیستم لایه نشانی رومیزی تحت خلاء، از پیشگامان این حوزه در ایران به شمار می رود. این شرکت بر آمده از دل تحقـیـقات دانشـگاهی و مؤسـسین آن از اعضای هیـات علمــی دانشـگاه های برتر کشـور می باشند که به خوبی از نیازهای مراکز دانشگاهی، آموزشی و تحقیقاتی کشور آگاهند.

https://pvd.ir

طبقه بندی موضوعی

۴ مطلب با موضوع «مقاله» ثبت شده است

  • ۰
  • ۰

perovskite


سلول های خورشیدی پروسکایتی نوعی سلول خورشیدی شامل ترکیبی با ساختار پروسکایت است. این ماده غالبا هیبرید آلی-معدنی هالید سرب یا قلع است. مواد پروسکایت مانند متیل آمونیوم سرب یدید، ارزان بوده و فرایند ساخت آن آسان است. ساختار پروسکایت از ساختارهای سه تایی مواد است و فرمول عمومی آن ABO3 است. این ساختار از هشت وجهی هایی تشکیل شده است که کاتیون های A در حفره های هشت وجهی قرار دارند. سلول های خورشیدی پروسکایتی لایه نازک بازده توان تبدیل بالایی دارند و با روش های ارزان قیمت قابل ساخت می باشند. در مقایسه با سلول های خورشیدی سیلیکونی که معمولا طی فرایندهای چند مرحله ای و گران ساخته می شوند، سلول های خورشیدی پروسکایتی با روش های آسان در محیط آزمایشگاهی قابل ساخت هستند. این سلول ها سریعترین فناوری خورشیدی تا به امروز بوده اند. مزیت سلول های خورشیدی پروسکایتی ارزان بودن مواد اولیه و شکاف باند قابل تنظیم آن ها با استفاده از تغییر مقدار و نسبت هالید است. ویژگی های منحصر به فرد پروسکایت ها از جمله ضریب جذب بالا موجب شده تا بتوان با فیلم های (لایه نازک) با ضخامت بسیار کم (در حد 500 نانومتر) سلول خورشیدی ساخت. به عبارت دیگر نور مرئی می تواند توسط یک لایه نازک چند صد نانومتری از پروسکایت، به طور کامل جذب شود. عملکرد قابل توجه فوتوولتائیکی پروسکایت های هیبریدی به طول عمر بلند حامل‌ های آنها و تاثیر بالای فوتولومینانس نسبت داده شده است. شرایط رشد پروسکایت و عملیات لایه نشانی تا حد زیادی مورفولوژی لایه، طول عمر حامل ها  و عملکرد دستگاه را تغییر می دهد. بهترین روش برای لایه نشانی ابزارآلات اپتو الکترونی، روش های لایه نشانی مبتنی بر تبخیردر خلاء است که ضمن نداشتن مضرات محیطی و هزینه کم، لایه نازک با کیفیت بالا تولید می کنند. موبیلیتی بالای حامل های بار و نرخ پایین بازترکیبی حامل ها از نکات مثبت لایه نشانی سلول های خورشیدی با استفاده از روش های لایه نشانی مبتنی بر تبخیر است. در صورت تمایل به مطالعه بیشتر به لینک زیر مراجعه نمایید:


نقش روش لایه نشانی در عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی لایه نازک


.Sputter coaterSEM coaterDesk sputter coaterTabletop carbon coaterCarbon coater

  • pvd
  • ۰
  • ۰

sem coater


میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ابزاری قدرتمند برای کسب اطلاعات در مورد ساختار و سایر ویژگی های نمونه در مقیاس نانو است. این میکروسکوپ امکان بررسی نمونه های مختلف از جمله سرامیک ها، فلزات، آلیاژها، نیمه هادی ها، نمونه های بیولوژیکی و ... را با ثبت تصویر در مقیاس نانومتر فراهم می آورد. در مورد بعضی از نمونه ها لازم است که یک مرحله آماده سازی نمونه قبل از تصویربرداری انجام شود. این مرحله شامل نشاندن یک لایه 10 نانومتری از مواد رسانا مثل طلا، نقره، پلاتین یا کروم روی نمونه می باشد. پرتوهای پر انرژی الکترونی که در حین فرایند میکروسکوپی به نمونه برخورد می کنند موجب انتقال بخشی از انرژی خود و در نتیجه گرم شدن نمونه می شوند. در صورتی که نمونه حساس به پرتوهای الکترونی باشد مثل نمونه های بیولوژیکی، برخورد این پرتوها موجب آسیب تمام یا بخشی از ساختار نمونه می شود. در این موارد، پوشش ایجاد شده در مرحله آماده سازی نمونه، نقش لایه محافظ را ایفا می کند.

دسته دیگر نمونه ها که نیاز به آماده سازی قبل از فرایند میکروسکوپی را دارند، مواد غیر رسانا هستند. ساختار نارسانای این نمونه ها موجب به دام افتاد الکترون ها در سطح این مواد شده و در نتیجه موجب باردار شدن موقت سطح می شود. این پدیده موجب سفید دیده شدن نواحی باردار شده در تصویر گرفته شده توسط میکروسکوپ الکترونی می شود. لایه رسانای نشانده شده روی نمونه قبل از فرایند میکروسکوپی مانند یک کانال عمل کرده و موجب حذف بارهای ایجاد شده روی سطح نمونه می شود.


  • ۰
  • ۰

opto electric


ادوات اپتوالکترونیک، قطعات الکترونیکی هستند که یا نور تولید می کنند یا در عملکرد خود از نور استفاده می کنند. لیزرهای دیودی و دیودهای ساطع کننده نور (LEDs) از جمله ادواتی هستند که با استفاده از انرژی الکتریکی، نور تولید می کنند. در مقابل سلول‌های خورشیدی و فتوولتاییک قرار دارند که نور را به انرژی الکتریکی تبدیل می‌کنند.

سولفید کادمیم از جمله موادی است که ویژگی های آن جهت کاربرد در سلول های خورشیدی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تاثیر قرار گرفتن یک لایه نازک ایتریم بین دو لایه نازک از سولفید کادمیم (CdS/Y/CdS) جهت افزایش جریان الکتریکی حاصل از جذب نور توسط محققان بررسی شده است. استفاده از این ترکیب موجب افزایش 5 برابری جذب نور وجریان الکتریکی حاصل از آن نسبت به لایه نازک سولفید کادمیم شده است. در صورت تمایل به مطالعه ادامه مطلب به لینک زیر مراجعه نمایید:

بهبود ویژگی اپتوالکترونیک لایه نازک سولفید کادمیم


.Sputter coaterSEM coaterDesk sputter coaterTabletop carbon coaterCarbon coater

  • pvd
  • ۰
  • ۰

bias voltage


تاثیر اعمال ولتاژ بایاس به زیرلایه در کیفیت لایه نازک ایجاد شده در فرایند لایه نشانی تحت خلا به روش اسپاترینگ


ادوات اپتوالکترونیک، قطعات الکترونیکی هستند که یا نور تولید می کنند یا در عملکرد خود از نور استفاده می کنند. لیزرهای دیودی و دیودهای ساطع کننده نور (LEDs) از جمله ادواتی هستند که با استفاده از انرژی الکتریکی، نور تولید می کنند. در مقابل سلول‌های خورشیدی و فتوولتاییک قرار دارند که نور را به انرژی الکتریکی تبدیل می‌کنند.


سولفید کادمیم از جمله موادی است که ویژگی های آن جهت کاربرد در سلول های خورشیدی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تاثیر قرار گرفتن یک لایه نازک ایتریم بین دو لایه نازک از سولفید کادمیم (CdS/Y/CdS) جهت افزایش جریان الکتریکی حاصل از جذب نور توسط محققان بررسی شده است. استفاده از این ترکیب موجب افزایش 5 برابری جذب نور وجریان الکتریکی حاصل از آن نسبت به لایه نازک سولفید کادمیم شده است.


در صورت تمایل به مطالعه ادامه مطلب به لینک زیر مراجعه نمایید:

تاثیر اعمال ولتاژ بایاس به زیرلایه در کیفیت لایه نازک ایجاد شده در فرایند لایه نشانی تحت خلا به روش اسپاترینگ


  • pvd